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G3VM-61A1/D1 MOS FET继电器

G3VM-61A1/D1 MOS FET继电器

产品分类:MOS FET继电器

接点构成:1a

接点电流(最大值):60V

线圈种类:

端子形状:

保护构造:

  • 种类
  • 额定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事项

 种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
每杆装数量 每卷装数量
DIP4 1a 印刷基本用端子 60V G3VM-61A1 100
表面安装端子 G3VM-61D1
G3VM-61D1(TR) 1,500
* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC

绝对最大额定(Ta  25

项目  符号  额定  单位  条件 
输入侧  LED正向电流 IF 50  mA  ?
反复峰值LED正向电流  IFP 100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率  △IF/℃  -0.5  mA/℃  Ta≧25℃ 
LED反向电压  VR ?
粘合部位温度  T 125  ℃  ?
输出侧  负载电压(峰值AC/DC)  VOFF 60 ?
连续负载电流(峰值AC/DC)  IO 500  mA  ?
导通电流降低比率  △IO/℃  -5 mA/℃  Ta≧25℃
脉冲导通电流 Iop 1.5 A T=100ms、Duty=1/10
粘合部位温度  TJ 125  ℃  ?
输入输出间耐压(注1) VI-O 2500  Vrms  AC持续1分钟 
使用环境温度  Ta  -40~+85 ℃  无结冰、无凝露 
贮藏温度  Tstg  -55~+125 ℃  无结冰、无凝露 
焊接温度条件  —  260  ℃  10s 
(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目  符号  最小  标准  最大  单位  条件 
输入侧 LED正向电压 VF 1.0  1.15  1.3  IF=10mA 
反向电流  IR —  —  10  μA  VR=5V 
端子间电容  CT —  30  —  pF  V=0、f=1MHz 
触发LED反向电流 IFT 1.6 3 mA IO=500mA 
复位LED反向电流 IFC  0.1     mA  IFC=100μ
输出侧 最大输出导通电阻  RON —  Ω  IF=5mA 、IO=500mA 
开路时漏电流  ILEAK —  —  1.0  μA  VOFF=60V 
端子间电容 COFF —  130 —  pF  V=0、f=1MHz 
输入输出间电容  CI-O —  0.8 —  pF  f=1MHz、VS=0V 
输入输出间电容绝缘电阻  RI-O 1000  108 —  MΩ  VI-O=500VDC、RoH≤60% 
动作时间  tON —  0.8  2.0  ms  IF=5mA 、RL=200Ω、
复位时间  tOFF —  0.1  0.5  ms  VDD=20V(注2) 
(注2): 动作· 复位时间
(单位:mm)
G3VM-61A1
形G3VM-41AY/DY:外形1
重量:0.25g
注. 标记内容与实际商品有所不同
G3VM-61D1
形G3VM-41AY/DY:外形4
重量:0.25g
注. 标记内容与实际商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
形G3VM-41AY/DY:外形2
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP VIEW)
形G3VM-41AY/DY:外形5
端子配置/内部接线图
G3VM-41AY/DY:外形3

注:产品的型号中没有标明“G3VM”。
※ 1引脚标记和对角的凹痕是冲压模具冲压出的印记。


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