欧姆龙光耦继电器G3VM助力高集成、高速、高精度测试

半导体检测、高频测量、5G通信等设备对元器件的要求愈发极致——高精度（高频稳定输出）、高密度（小型化集成化）、高响应（宽温工作信号低延迟）。

别急，欧姆龙器件与模块解决方案推出MOSFET继电器新品G3VM帮你适配工业级场景应用需求实现设备改造升级！

欧姆龙G3VM系列MOS FET继电器低C×R +迷你封装，工业级硬核之选本次G3VM MOS FET继电器新品，三款明星系列G3VM-21QR、G3VM-21QR1、G3VM-41QR4，可适用于半导体检查装置、各种计测仪器、通信设备、数据记录器等应用场景。

它的S-VSON (L) 封装尺寸小（仅为microSD卡的1.7%左右），单继电器仅0.01g，可实现电路板高密度贴装，大幅减轻设备整体重量。

一、应用价值：

高密度贴装可提升同时测量数量；

轻量化封装降低整体设备重量，提升设备设计灵活性；

可替换机械继电器，减少电路改动和额外元器件，实现设备小型化、节能化。

二、性能优势提升

1、相比往年高速款，开关性能再提升

G3VM-21QR最大关断/导通时间为0.08ms/0.12ms，G3VM-21QR1和G3VM-41QR4为0.15ms/0.1ms。

可缩短设备检测时间，提升作业效率。

2、追求速度的同时，精度同步提升

G3VM-21QR典型值仅0.6pF（低电容可有效保障高频特性），拥有最大1nA的低漏电流（低漏电流可有效保障测量精度）。

3、宽温稳定工作，适配更多工业场景

全型号工作环境温度均为-40~+110℃。

可适配更多应用场景，拥有更广阔的市场拓展能力。

三、应用领域

主要面向半导体测试仪、高频测量仪器等高频、高精度检测设备领域，是该类设备实现高集成、高速、高精度测试的关键元器件。

低C×R、迷你封装、高速响应，欧姆龙G3VM以硬核工业级实力帮助您在数字化发展浪潮中以小驭大、以快驭胜

新品发布 | 低C×R、迷你封装，欧姆龙光耦继电器G3VM助力高集成、高速、高精度测试