2020-04-15
随着欧姆龙光耦继电器G3VM-21MT的发布,我们可以了解下它的特征及应用领域:
特点
(* 1)MOS FET =金属氧化物半导体场效应晶体管(一种场效应晶体管)。
(* 2)根据我们自己的研究,截止到2019年4月,采用“ T型电路结构”的继电器模块将多个不同的MOS FET继电器组合在一起。
(* 3)电子设备中通常使用的电路结构,例如衰减器,以更大程度地减小泄漏电流。
(* 4)电路内部发生的一种情况,电流通过绝缘层泄漏,否则会阻止电流通过。
(* 5)通过缠绕在玻璃管上的线圈的磁通量来切换(断开和闭合)位于玻璃管中的两个带有触点的簧片。
特征
1.通过将泄漏电流减小到1pA或更低来提高设备的可靠性
泄漏电流一直是半导体继电器的长期缺点,G3VM-21MT通过将泄漏最小化到1pA或更低来解决该问题。
G3VM-21MT成功地实现了低于或等于0.1pA的实际性能,同时将对应用测量精度的影响降至最低。
2.更长的生命周期和显着降低的维护频率
G3VM-21MT继电器模块的输出电路由不使用物理触点的半导体MOS FET继电器组成,因此无需对触点进行维护以防磨损,因为不会产生电弧放电打开和关闭电路。
3.缩小的安装空间-通过节省空间和节省
布线的方式实现高密度安装 G3VM-21MT通过将输入和输出电路的复杂接线图纳入内部模块,实现了5mm×3.75mm×2.7mm的紧凑尺寸,从而简化了PCB布线的应用程序。
应用领域