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2020-04-15
随着欧姆龙光耦继电器G3VM-21MT的发布，我们可以了解下它的特征及应用领域：
特点
（* 1）MOS FET ＝金属氧化物半导体场效应晶体管（一种场效应晶体管）。
（* 2）根据我们自己的研究，截止到2019年4月，采用“ T型电路结构”的继电器模块将多个不同的MOS FET继电器组合在一起。
（* 3）电子设备中通常使用的电路结构，例如衰减器，以更大程度地减小泄漏电流。
（* 4）电路内部发生的一种情况，电流通过绝缘层泄漏，否则会阻止电流通过。
（* 5）通过缠绕在玻璃管上的线圈的磁通量来切换（断开和闭合）位于玻璃管中的两个带有触点的簧片。
特征
1．通过将泄漏电流减小到1pA或更低来提高设备的可靠性
泄漏电流一直是半导体继电器的长期缺点，G3VM-21MT通过将泄漏最小化到1pA或更低来解决该问题。
G3VM-21MT成功地实现了低于或等于0.1pA的实际性能，同时将对应用测量精度的影响降至最低。
２．更长的生命周期和显着降低的维护频率
G3VM-21MT继电器模块的输出电路由不使用物理触点的半导体MOS FET继电器组成，因此无需对触点进行维护以防磨损，因为不会产生电弧放电打开和关闭电路。
３．缩小的安装空间-通过节省空间和节省
布线的方式实现高密度安装 G3VM-21MT通过将输入和输出电路的复杂接线图纳入内部模块，实现了5mm×3.75mm×2.7mm的紧凑尺寸，从而简化了PCB布线的应用程序。
应用领域
